Исследовано магнетосопротивление подвешенных полупроводниковых наноструктур с двумерным элек-тронным газом, структурированным периодическими квадратными решeтками антиточек. Показано, что баллистический режим электронного транспорта сохраняется после отрыва образцов от подложки. Проведeн прямой сравнительный анализ соизмеримых осцилляций магнетосопротивления, а также их температурных зависимостей в образцах до и после подвешивания. Обнаружено, что температурные зависимости прак-тически идентичны для неподвешенных и подвешенных образцов, в то время как в нелинейном режиме, обусловленном пропусканием постоянного тока, наблюдаются существенные отличия. Соизмеримые осцил-ляции в подвешенных образцах оказываются более устойчивыми по отношению к воздействию постоянного тока, что предположительно может быть объяснено усилением электрон-электронного взаимодействия после отрыва наноструктур от высокодиэлектрической подложки.