Using the partial domain method, surface integral equations are obtained for slow-wave systems of double shifted combs taking dissipation on all metal surfaces into account. The case of aliquot comb periods is considered. The quadratic functionals are proposed as dispersion equations. A method to solve complex dispersion equations in the form of functionals for complex constants of propagation is proposed by means of their joint iterations with integral equations. The results of calculating the dispersion with allowance for dissipation in several structures considered are presented.

Рассмотрен транзистор в виде трех электродов, соединенных нанолентами графена или металлическими квантовыми нитями (нанопроволоками), работающий по принципу управления током путем изменения напряжения на центральном электроде (затворе). Рассмотрение проведено в рамках модели Ландауэра-Датты-Лундстрома в приближении равновесности на электродах и задания на них потенциалов. Получены линейные модели, рассмотрены нелинейные слагаемые в определении тока, рассчитаны нелинейные вольт-амперные характеристики графеновых нанолент. DOI: 10.21883/JTF.2017.08.44728.2164 Введение Графен в силу высокой подвижности носителей, боль-шой их скорости (порядка 10 6 m/s) в областях около точек Дирака, хорошей теплопроводности, двумерности структуры и высокой прочности является весьма пер-спективным материалом для наноэлектроники, особенно для терагерцовых транзисторов [1][2][3][4][5][6]. Однако в силу отсутствия энергетической щели у листа графена и из-за весьма малой возможной щели (порядка 0.1−0.2 eV) в нанолентах графена, включая двуслойные ленты (щель растет с уменьшением ширины), а также из-за невоз-можности существенного увеличения щели при воздей-ствии обычно используемых в наноэлектронике внешних полей возникли проблемы при создании быстродейству-ющих (с высокой частотой переключения) нанотранзи-сторов на графене, особенно для широких лент порядка 20 nm и более [4][5][6][7][8]. Поскольку в транзисторах на гра-фене конструктивно используют наноленты, модуляция их проводимости может быть весьма высокой [6][7][8]. Проблеме увеличения ширины щели на графеновых структурах посвящено большое число работ, поскольку для цифровой техники необходимы транзисторы с низ-ким током закрытого состояния (высоким отношением токов открытого и закрытого состояний). Однако для целей обработки, усиления и генерации сигналов это не принципиально. В частности, принципиально возможен одноэлектронный транзистор с квантовой точкой, рабо-тающий по принципу кулоновской блокады [3]. В литера-туре рассматривались возможности создания как быстро переключаемых транзисторов, так и транзисторов для усиления аналоговых сигналов [5]. В последнее время были предложены туннельные транзисторы на основе графена [8], а также транзисторы на графене с отрица-тельным сопротивлением [9]. Рассмотрены и генераторы на графене с накачкой [10].Для целей усиления и генерации достаточно иметь устройства с импедансом, управляемым напряжением (с зависимостью тока от управляемого напряжения), имеющие малое время пролета носителей и желательно по возможности малый управляющий ток по сравне-нию с управляемым током. Для терагерцовой наноэлек-троники более перспективны планарные устройства с баллистическим или смешанным режимами работы, что требует использования нанолент (полосок) с двумерным электронным газом (ДЭГ). Реально такая структура есть одномерная квантовая нить, поскольку длина свободного пробега (ДСП) λ в графене при комнатной темпе-ратуре порядка µm, т. е. обычно существенно больше ширины ленты. Наиболее перспективно использовать однослойные и многослойные графеновые наноле...