Впервые исследовано влияние облучения электронами с энергией 0.9 МэВ на параметры 4H-SiC диодов Шоттки с предельным блокирующим напряжением Ub=600 и 1700 В в диапазоне рабочих температур Ti (23 и 175oС). Диапазон флюенсов Phi составлял 1·1016-2·1016 см-2 для приборов c Ub=600 В и 5·1015-1.5·1016 cм-2 для приборов c Ub=1700 В. Облучение при комнатной температуре значительно увеличивает дифференциальное сопротивление базы диодов. Облучение теми же дозами при Ti=175oС --- предельной рабочей температуре приборов практически не сказывается на параметрах вольтамперных характеристик. Тем не менее DLTS-спектры демонстрируют значительное увеличение концентрации глубоких уровней в верхней половине запрещенной зоны не только после облучения при комнатной температуре, но и после облучения при Ti=175oС. Ключевые слова: карбид кремния, диоды Шоттки, электронное облучение, вольт-амперные характеристики, DLTS-спектры.