Рассмотрены особенности генерации поверхностных плазмон-поляритонов в системе планарного интерфейса металл-диэлектрик, связанного ближнеполевым взаимодействием с внедренными в диэлектрик полупроводниковыми квантовыми точками. В качестве модели рабочей среды при проведении численного анализа использовалась золотая металлическая поверхность с нанесенной на нее диэлектрической пленкой (полиэтилентерефталат), содержащей сферическую квантовую точку на основе полупроводника CdSe. Решена задача оптимизации радиуса квантовой точки и ее расстояния до металлической поверхности для достижения максимальной эффективности передачи энергии квантовой точки для генерации поверхностных плазмон-поляритонов. Изучено влияние дисперсионных эффектов на скорость генерации поверхностных волн ансамблями неоднородных квантовых точек, расположенных в слое диэлектрика вблизи металлической поверхности.