Поступило в Редакцию 10 февраля 2020 г. В окончательной редакции 20 февраля 2020 г. Принято к публикации 20 февраля 2020 г.Изучены вольт-фарадные характеристики (ВФХ) структур металл−диэлектрик−полупроводник (МДП) Au/Al 2 O 3 /In 0.52 Al 0.48 As и Au/SiO 2 /In 0.52 Al 0.48 As. Установлено, что измерение ВФХ МДП-структур на основе InAlAs фрагментарным способом (в отличие от стандартной методики регистрации при постоянной скорости развертки по напряжению) значительно ослабляет влияние гистерезисных явлений и позволяет записывать стационарные кривые. Показано, что рассчитанная методом Термана из таких ВФХ плотность быстрых интерфейсных состояний слабо изменяется по ширине запрещенной зоны InAlAs и составляет (3−6) · 10 11 и (1−3) · 10 11 eV −1 · cm −2 для МДП-структур с Al 2 O 3 и SiO 2 соответственно.Ключевые слова: In 0.52 Al 0.48 As, диэлектрик, вольт-фарадная характеристика, плотность интерфейсных состояний.

It is shown that the fluorine-containing anodic layers on the n-In0.53Ga0.47As surface, in contrast to the anodic layers without fluorine, form a SiO2/InGaAs interface with an unpinned Fermi level, the state density on which decreases during annealing at a temperature of 300 °C to values (2-4) 1011 and (4-5) 1012 eV-1cm-2 near conduction band bottom and the band gap middle, respectively. An increase in the annealing temperature leads to a reverse increase in the state density (350 ºС) and pinning of the Fermi level (400 ºС).