Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В. Тананаева Федерального исследовательского центра " Кольский научный центр РАН",

Показано, что применение для выращивания номинально чистых кристаллов ниобата лития расплава, структурированного неметаллическим элементом бором, позволяет регулировать особенности вторичной структуры, оптическую однородность, величины фотоэлектрических полей и ширину запрещенной зоны. По характеристикам фотоиндуцированного рассеяния света определены напряженности фотовольтаического и диффузионного полей в номинально чистых кристаллах LiNbO3:В. Показано, что величина диффузионного поля, определяющая концентрацию мелких электронных ловушек, для кристаллов LiNbO3:В имеет промежуточное значение между кристаллами конгруэнтного и стехиометрического составов и зависит от концентрации бора в шихте. При этом ширина запрещенной зоны в кристаллах LiNbO3:В соответствует значению для стехиометрического кристалла, но оптическая однородность кристаллов LiNbO3:В близка к оптической однородности конгруэнтного кристалла, концентрация ОН-групп в кристаллах LiNbO3:В меньше, а их расположение в структуре более упорядочено, чем в конгруэнтном кристалле. Ключевые слова: ниобат лития, расплав, фотоэлектрические поля, ИК-спектроскопия, оптическая спектроскопия.