Сообщается о росте неполярных GaN(1120) структур методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии с использованием буферного слоя AlN, синтезированного методом эпитаксии из металлоорганических соединений на подложке r-Al2O3. Показано, что упругие напряжения в структуре GaN(1120)/r-Al2O3 в направлении осей "c" и "a" слоя различаются, коррелируют с величинами полуширин кривых качания спектров рентгеновской дифракции в этих направлениях и обусловлены анизотропией коэффициентов термического расширения решеток как слоя, так и подложки. Ключевые слова: неполярный нитрид алюминия, анизотропия напряжений в слое.