Показано, что быстронарастающий высоковольтный импульс напряжения, приложенный к кремниевой n+-n-n+-структуре, приводит к субнаносекундному лавинному пробою, генерации во всем объеме структуры электронно-дырочной плазмы и переключению структуры в проводящее состояние за время около 100 ps. Предсказанный эффект внешне сходен с задержанным лавинным пробоем обратносмещенных диодных p+-n-n+-структур, но реализуется в структуре без p-n-переходов. DOI: 10.21883/PJTF.2017.11.44697.16608