Описаны методы исследований и первые результаты, полученные при изучении шероховатости подложек из монокристаллического кремния (111), обработанных на финальной стадии различными способами: традиционная полировка без использования химико-механической полировки (ХМП), с использованием ХМП и без ХМП, но с применением нанопорошков окиси церия. Продемонстрирована эффективность использования нанопорошков CeO2. Были получены следующие значения эффективной шероховатости: без ХМП --- 3.56 nm, с ХМП --- 0.54 nm и без ХМП, но с полировкой CeO2 --- 0.93 nm. Ключевые слова: поверхность, шероховатость, рентгеновская оптика, глубокая шлифовка-полировка.

The paper reports on the developed technique for polishing single-crystal silicon substrates using a mechanical lap. The effective substrate roughness was obtained in the spatial frequency range of 0.025–65 µm-1 at the level of 0.37 nm and 0.18 nm at a frame size on the surface of 2х2 µm2. The result obtained is comparable with the results of chemical-mechanical and dynamic polishing of single-crystal silicon wafers for microelectronics.