Представлены результаты исследований ватт-амперных характеристик и кар-тин дальнего поля излучения полосковых лазеров, в которых используются свя-занные планарные волноводы, позволяющие подавить генерацию возбужденных мод и реализовать малую (около 0.9 µm) глубину залегания активной области по отношению к поверхности лазерного кристалла. Продемонстрирована высо-кая температурная стабильность угловой расходимости излучения (34.0 ± 1.5• ) в диапазоне 20−80• C. Наибольшее значение выходной мощности ограничено катастрофическим разрушением зеркала и составляет 12.2 W в непрерывном режиме.

We have proposed a semiconductor laser design with a stripe waveguide, which geometry can make it possible to obtain radiation similar to that of a phase-locked laser array. The requirements for the laser quasi-array parameters and the technological feasibility of the proposed approach are discussed.