Анотація Показано що ефективність сенсорних структур на основі "глибоких" кремнієвих p-n переходів може суттєво залежить від типу електричної провідності освітлюваної області. Принцип роботи таких структур полягає у зміні ефективної швидкості поверхневої рекомбінації внаслідок впливу локального електричного поля адсорбованої речовини на приповерхневий вигин зон та на параметри рекомбінаційних центрів. На підставі модельних розрахунків показано, що зміна корисного сигналу внаслідок адсорбції полярних молекул на робочій поверхні більша у випадку освітення базової області n-типу провідності. Такі структури є більш перспективними для створення сенсорів із фотоелектричним принципом перетворення у порівнянні із структурами для яких використовують освітлення області із p-типом провідності. Ключові слова: кремній, глибокий p-n перехід, поверхнева рекомбінація, сенсорна структура