Исследована подвижность электронов mueff в инверсионных слоях двухзатворных полностью обедняемых КНИ (кремний-на-изоляторе) МОП транзисторов в зависимости от плотности индуцированных носителей заряда Ne и температуры T при разных режимах пленки КНИ со стороны одного из затворов (инверсия-обогащение). Показано, что при большой плотности индуцированных носителей заряда (Ne>6·1012 cм-2) зависимости mueff(T) позволяют выделить компоненты подвижности mueff, связанные с рассеянием на поверхностных фононах и микрорельефе границы раздела пленка/диэлектрик. Зависимости mueff(Ne) могут быть аппроксимированы степенными функциями mueff(Ne) propto Ne-n. Определены значения показателей n зависимостей и доминирующие механизмы рассеяния электронов, индуцированных вблизи границы раздела пленки КНИ со скрытым диэлектриком, для различных интервалов Ne и режимов пленки со стороны поверхности. DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44334.8369