В сучасному світі інтегральні мікросхеми (ІС) є ядром практично всіх електронних систем. При проектуванні багатьох ІС одним із найважливіших завдань є генерування точних напруг для всіх елементів схеми. Це важливий компонент для багатьох застосувань, починаючи від повністю аналогових мікросхем, мікросхем змішаного типу і навіть суто цифрових систем. Перетворювачі напруг, контролери флешпам'яті і аналого-цифрові перетворювачілише деякі приклади застосувань, що потребують точної напруги живлення. Схеми, які створюють ці напруги, часто називають джерелами опорної напруги (ДОН) [1]. Вони повинні мати властивість низької чутливості до зміни напруги живлення, параметрів технологічного процесу виготовлення та температури експлуатації. Отримання температурної незалежності по суті є складною проблемою, оскільки електричні властивості транзисторів і резисторів -основних компонентів при проектуванні схем -сильно залежать від температури. Джерела опорної напруги виготовляються як у виді окремих мікросхем, так і як складова частина ІС. Вартість виготовлення останніх зазвичай складає малу частину всієї мікросхеми, але результуючі характеристики даних компонентів сильно впливають на працездатність і характеристики всіх вузлів.Одним із стандартних шляхів отримання опорної високостабільної опорної напруги є використання схем типу