Исследуется, как случайные флуктуации концентрации легирующей примеси влияют на вольт-амперные характеристики тока, протекающего через полупроводниковую сверхрешетку. Показано, что в зависимости от амплитуды флуктуаций параметров наноструктуры характеристики тока, протекающего через сверхрешетку, заметно изменяются. По малой выборке удалось найти закон распределения плотности вероятности значений интеграла модуля разности токов при различных значениях амплитуды флуктуаций концентрации легирующей примеси. DOI: 10.21883/PJTF.2017.20.45144.16896