Проведены исследования электротеплового пробоя в высоковольтных (1430 В) 4H-SiC p + −n 0 −n +-диодах c толщиной n 0-базы 7.5 мкм, концентрацией доноров 8.0 • 10 15 см −3 и площадью 4.9 • 10 −4 см 2. Устойчивость диодов к лавинному пробою охарактеризована максимальной энергией одиночного импульса лавинного тока, которая может быть рассеяна диодом до того, как происходит его катастрофический отказ (деструкция). При длительности импульса ∼ 1 мкс максимальная энергия составляет 1.4 мДж (2.9 Дж/см 2). Показано, что деструкция диодов вызвана локальным перегревом структуры диода до температуры около 1600 K, при которой концентрация собственных носителей становится больше концентрации легирующих доноров в блокирующей n 0-базе.

The effect of proton irradiation on electrical characteristics of high-voltage (3 kV) 4H-SiC junction diodes have been investigated. The diodes were irradiated through 10-µm thick Ni-film. The energy of protons and irradiation dose were 2.8 MeV and 4×1011 cm-2, respectively. After proton irradiation, the diodes exhibited 35-% increasing in on-state resistance, about 3 times decreasing in the reverse recovery charge with the reverse recovery character being "hard".