Рассматривается влияние облучения γ-квантами на механизм переноса тока в структуре Al-p-CdTe-Mo с протяженной базой (w = 120 μm). Показано, что прямая ветвь ВАХ структуры Al-p-CdTe-Mo до и после облучения описывается степенной зависимостью J ~ Vβ с двумя участками: на участке D β = 1.2, a на участке F β = 3.45. Определенная из прямой ветви ВАХ величина удельного сопротивления ρ  2.1×107 Ωcm слоя p-CdTe хорошо соответствует величине удельного сопротивления исходной пленки p-CdTe. Экспериментально наблюдаемый на втором участке (F) прямой ветви ВАХ резкий рост тока также подтверждает, что фронтальный гетеропереход (n+-p-гетеропереход Al-n- Al2O3-p-CdTe) по качеству намного превосходит тыльный гетеропереход (p-n-переход p-CdTe-n-MoO3-Mo).