Исследованы вольт-амперные характеристики кремниевых фотодиодов до и после облучения γ-квантами энергией 1.25 МэВ и дозой облучения 0.5 МРад. Установлено, что обратные токи определяются механизмом Пула--Френкеля в сильном электрическом поле с влиянием электрон-фононного взаимодействия. Разработана методика и рассчитаны параметры электрон-фононного взаимодействия, описываемого конфигурационной однокоординатной моделью, из обратных вольт-амперных характеристик. Сделано предположение, что в результате облучения γ-квантами образуются центры дивакансии кремния с кислородом, которые и определяют обратные токи фотодиодов. Ключевые слова: обратная вольт-амперная характеристика, эффект Пула--Френкеля, электрон-фононное взаимодействие, облучение γ-квантами, центры дивакансии кремния с кислородом.

In this work, a study was made of the influence of silicon diode manufacturing technology on the emergence of generation and recombination centers. The electrical characteristics of p-n junctions formed in different ways on n-type silicon substrates were compared: a) the p-type layer was created by the diffusion method; b) the p-type layer was formed by ion implantation into an epitaxial n-layer preliminarily grown on the substrate; c) two n- and p-type epitaxial layers were successively deposited on the substrate. It has been established that for diodes based on a double epitaxial layer, the direct and reverse current-voltage characteristics (CVC) are due to the diffusion mechanism, and the structures themselves have a low concentration of recombination centers. At the same time, in diodes based on the diffusion method and ion implantation, the CVCs are due to the generation-recombination mechanism. With reverse bias, electron-phonon processes play a significant role in the formation of the CVC, and with forward bias, carrier recombination in the region of the space charge of the p-n junction. The concentrations and energies of recombination centers have been determined.