Представлены результаты экспериментальных исследований и расчетов эффективности преобразования энергии источников β-излучения Ni-63 в электрическую с помощью кремниевых p−i−n-диодов. Все вычис-ления выполнены с учетом распределения β-электронов по энергиям. Получено выражение для напряжения холостого хода преобразователя с учетом распределения электронов высоких энергий в области простран-ственного заряда p−i−n-диода. Показаны пути оптимизации параметров преобразователя за счет совершен-ствования технологии изготовления диодов, оптимизации толщины активного слоя излучателя и i-области полупроводникового преобразователя. Вычислено распределение потерь на преобразование источника и приемника излучения, а также потерь при входе электронов высоких энергий в полупроводник. Эксперимен-тальные значения эффективности преобразования 0.4−0.7% хорошо согласуются с расчетными параметрами.

No abstract