Измерены продольное и холловское магнитосопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/InAlAs при температурах T = (1.8−30) K в магнитных полях до B = 9 Tл. Температурно-индуцированный транспорт в области минимумов продольного сопротивления, соответствующих областям плато на холловском сопротивлении, был исследован в рамках концепции прыжковой проводимости в сильно локализованной электронной системе. Анализ проводимости с переменной длиной прыжка в областях второго, третьего и четвертого плато квантового эффекта Холла дал возможность определить критические индексы длины локализации.

Проведено исследование продольного ρxx и холловского ρxy сопротивлений в области квантовых фазовых переходов в режиме квантового эффекта Холла в магнитных полях до 12 Тл при температурах T = 0.4−30 K в двумерных электронных системах n-In 0.9 Ga 0.1 Аs/In 0.81 Al 0.19 As. Обнаружено неуниверсальное скейлинговое поведение температурной зависимости ширины пиков сопротивления ρxx , связанное с влиянием крупномасштабного случайного потенциала и смешиванием уровней Ландау с разными направлениями спина.