The article deals with the measurement of residual stresses that are formed in shaped sapphire single crystals when they are grown from a melt. An algorithm is developed for calculating the normal components of the residual stress tensor from the data of optical measurements of residual stresses by the conoscopy method for optically uniaxial crystals in the form of plates. Examples of measuring residual stresses and calculating normal components for a square rod and a basal-faceted sapphire ribbon are given. It is shown that normal stresses are concentrated mainly along the periphery of the plates and reach up to 25 MPa in the rod and 70 MPa in the strip.

Методом численного моделирования изучен эффект объемного радиационного переноса тепла при выращивании профилированных кристаллов сапфира из расплава. Рассмотрены особенности структуры световодного потока в кристалле и расплаве, а также возможность появления радиационной неустойчивости границы раздела фаз. Показано наличие переохлажденных областей под фронтом кристаллизации, размер которых зависит от скорости выращивания. Установлено, что использование конструкции конического формообразователя привело к более устойчивому процессу выращивания. Ключевые слова: сапфир, метод Степанова (EFG), радиационное переохлаждение расплава.