The results of experimental and theoretical studies of the influence of the current value on the characteristics of anisotropic magnetoresistive magnetic field sensors based on FeNiCo alloy with a "barber-polе" structure are presented. A significant difference was found between the volt-oersted characteristics of the forward and reverse strokes with an increase in the intrinsic current caused by the input supply voltage at sufficiently high external magnetic fields. A theoretical calculation of the volt-oersted characteristic was carried out within the framework of the model of one-dimensional heterogeneity of the magnetization distribution, which coincides with the experimental curves of the forward path.

Представлены результаты исследования характеристик спин-туннельных магниторезистивных (СТМР) элементов, сформированных на основе многослойных наноструктур масочным методом. Экспериментально получены параметры магнитного отжига СТМР элементов, которые показывают возможности повышения величины магниторезистивного эффекта в 4−5 раз и более. Исследованы тестовые образцы СТМР элементов, обладающие величиной гигантского магниторезистивного эффекта до 50% и сопротивлением 30−35 k , в отсутствие магнитного поля. DOI: 10.21883/JTF.2017.08.44740.2116 В настоящее время спинтронные приборы и устрой-ства на основе спин-туннельных магниторезистивных (СТМР) элементов востребованы в ряде приложений. Величина гигантского магниторезистивного (ГМР) эф-фекта в таких элементах достигает нескольких сотен процентов. Это позволяет не только контролировать слабые значения магнитного поля в диапазоне от 1 nT до 1 mT, но и хранить информацию в устройствах энергонезависимой магниторезистивной памяти.Одним из перспективных направлений магнитной спинтроники сегодня является создание высокочувстви-тельных датчиков и преобразователей магнитного поля на основе ГМР эффекта, достигающего нескольких сотен процентов в СТМР элементах [1,2].Сопротивление СТМР элемента на основе много-слойной наноструктуры изменяется пропорционально косинусу разности между углами направлений векторов намагниченности M свободной и фиксированной фер-ромагнитных пленок. При этом сопротивление СТМР элемента максимально при противоположном направле-нии векторов M и минимально при их сонаправленном, параллельном положении векторов M ферромагнитных пленок. Направление вектора намагниченности M фик-сированной ферромагнитной пленки в рабочем диапа-зоне магнитного поля осуществляется благодаря обмен-ному взаимодействию с прилегающей к ней антиферро-магнитной пленкой из сплавов FeMn или IrMn.Основой всех СТМР элементов является туннельный переход, расположенный между двух ферромагнитных пленок (фиксированной и свободной). Туннельный пере-ход реализуется в многослойной наноструктуре СТМР элемента с помощью нанометрового слоя диэлектри-ка Al 2 O 3 или MgO. Протекание " магнитозависимого" тока в туннельном переходе происходит перпендику-лярно слоям многослойной наноструктуры СТМР эле-мента. Перемагничивание свободного ферромагнитного слоя происходит под воздействием магнитного поля, направленного параллельно поверхности многослойной наноструктуры СТМР элемента. Для этого в первую очередь в запоминающих устройствах с произвольной выборкой (ЗУПВ) используются токовые проводники перезаписи [3]. При переходе к созданию наноразмер-ных СТМР элементов стало возможно использование квантового явления переноса спинового момента, позво-ляющего перемагничивать свободный ферромагнитный слой благодаря проходящему через многослойную на-ноструктуру " магнитозависимого" тока с плотностью до 10 7 A/cm 2 [4,5]. Теоретический анализ работоспособности СТМР эле-мента в магнитном поле может быть проведен с ис-пользованием теории микромагнетизма [2]. В качестве модели распределения магнитного момента M фе...