Представленные данные показывают, что при имплантации MoO3 ионами Ba+ в ионно-легированном слое формируется пленка, состоящая из соединений типа Mo-O, Mo-Ba-O и Ba-O. Это приводит к резкому изменению плотности состояния валентных электронов, уменьшению работы выхода eφ до 2.7 eV, уменьшению ширины запрещенной зоны Eg в ~1.5 раза и увеличению максимального значения коэффициента вторичной электронной эмиссии sigmam в 1.5 раза. Установлено, что эмиссионная эффективность вторичных электронов приповерхностного слоя чистого Mo заметно больше, чем эмиссионная эффективность ионно-имплантированных слоев Mo. Поэтому увеличение sigmam после ионной имплантации в основном объясняется уменьшением eφ поверхности. При прогреве ионно-имплантированного MoO3 до 900 K значение eφ уменьшается до 2 eV, а значение sigmam увеличивается до T=1000 K. Ключевые слова: ионная имплантация, эмиссионная эффективность, прогрев, термоэлектронная работа выхода, ширина запрещенной зоны, фотоэлектроны.