Методом фотомодуляционной инфракрасной фурье-спектроскопии измерены спектры фотоотражения слоeв n-InSb. Образцы выращены молекулярно-пучковой эпитаксией на сильнолегированных подложках n + -InSb (001), отожжeнных в различных режимах. По периоду наблюдаемых в спектрах фотоотражения осцилляций Франца−Келдыша определялась напряжeнность приповерхностного электрического поля. Отме-чено, что его значение возрастает при длительном хранении образцов на воздухе. Обработка слоeв n-InSb в 1M водном растворе Na 2 S приводила к увеличению измеряемого поля. Ранее было показано, что при такой обработке поверхностный уровень Ферми сдвигается в глубь зоны проводимости и, вероятно, не зависит от условий и времени предварительного хранения образцов. С использованием пассивации в Na 2 S развитый в работе оптический метод позволяет бесконтактно измерять концентрацию электронов в гомоэпитаксиальных слоях n-InSb.Исследования в СПбГЭТУ частично поддержаны субсидией Минобрнауки РФ (№ 16.1307.2014/K) и РФФИ в рамках научного проекта № 16-32-60076 мол_а_дк. ВведениеБлагодаря малой ширине запрещeнной зоны анти-монид индия широко применяется для создания дис-кретных и матричных фотоприeмников в спектральном диапазоне 3−5 µm [1]. Максимальная среди всех со-единений A III B V подвижность электронов делает этот материал основой перспективных сверхбыстрых низко-вольтных транзисторов [2,3]. Кроме этого, InSb исполь-зуется для изготовления лазерных и туннельных диодов, инфракрасных (ИК) фильтров и детекторов магнитного поля. В этой связи, на передний план выходит усо-вершенствование технологии выращивания высококаче-ственных эпитаксиальных слоeв InSb, а также развитие методов их диагностики и неразрушающего контроля.Большая часть того, что нам известно с высокой точностью об энергетических зонных диаграммах полу-проводников, является результатом измерений при моду-ляции отражения [4]. Фотоотражение (ФО) -это бес-контактная разновидность модуляционной оптической спектроскопии. В данном методе коэффициент отраже-ния полупроводника модулируется слабым переменным лазерным лучом, падающим на то же место образца, что и зондирующий луч, отражение которого детектируется.Впервые ФО InSb было измерено в работе [5] при помощи инфракрасного решeточного монохроматора. Однако даже при 50 K отношение сигнал/шум в отсут-ствие каких-либо внешних полей не превышало шести, что не позволило авторам выявить информативную составляющую сигнала ФО. Причинами этого является принципиально невысокая чувствительность фотопри-eмников в рассматриваемом спектральном диапазоне (длина волны λ > 4 µm), малая интенсивность источ-ников ИК-излучения (глобаров), а главное -низкая светосила классических дифракционных спектрометров. Интенсивность формируемого зондирующего луча огра-ничивается узкими входными и выходными щелями, оптическим фильтром, отрезающим дифракционные мак-симумы более высокого порядка, и самим разложением в спектр.Существенно эффективнее для измерений спектров в средневолновом ИК-диапазоне использовать фурье-спектрометр (FTIR). Первые результаты по измерению фотом...