Рассмотрены вольт-амперные характеристики и фототок "монолитных" диодных оптопар, оптически связанных общей для них подложкой из InAs, оценена возможность использования значений фототока для измерения ослабления "исчезающей волны" при полном внутреннем отражении от границы раздела волновод (подложка из InAs)/поглощающее анализируемое вещество. Ключевые слова: оптические сенсоры, датчики химического состава вещества, диодные оптопары, анализаторы МНПВО, анализаторы исчезающей волны, фотодиоды среднего ИК диапазона, светодиоды среднего ИК диапазона.

Three main reasons for a temperature increase in activated p-InAsSbP/n-InAs/n-InAsSbP and p-InAsSbP/n-InAsSb/n-InAs double heterostructures has been considered. Contribution of nonradiative Auger recombination, electron-phonon interaction and Joule heating to diode temperature increase in single element LEDs and flip-chip diode arrays (1×3) were evaluated at forward and reverse bias using data on spatial distribution of the mid-IR radiation intensity and current-voltage characteristics.

We discuss photoelectrical properties of an on-chip attenuated total reflection (ATR) sensor for the ethanol concentration measurements in an aqueous solution. The on-chip sensor/microchip was made from a p-InAsSbP/n-InAs monolithic double heterostructure with three mesas/individual diodes grown on a single n⁺-InAs substrate/waveguide. Two heterostructure diodes were used as photodiodes, while the third one - as a LED. The ethanol concentration was measured via an algorithm based on analysis of the I–V characteristic parameters of a photodiode and the L–I characteristics of an LED.