Рассмотрены диодные структуры с сильной асимметрией инжектирующей способности эмиттеров. В рассматриваемых структурах отношение толщины базового слоя к амбиполярной диффузионной длине было ~1. При большой плотности тока сильная асимметрия инжектирующей способности переходов приводит к реализации, наряду с обычно учитываемыми диффузионным и квазинейтральным дрейфовым режимами переноса носителей заряда, к возникновению и реализации недавно обнаруженного режима DSQD (диффузии, стимулированной квазинейтральным дрейфом). В работе показано, что с ростом плотности тока область, в которой реализуется квазинейтральный дрейфовый режим переноса носителей заряда, схлопывается. При этом на вольт-амперной характеристике диода возникает S-образный участок даже при сравнительно небольших значениях отношения W/L (W --- толщина базового слоя, L --- амбиполярная диффузионная длина). Ключевые слова: перенос носителей заряда в полупроводниках, мощные полупроводниковые диоды, вольт-амперная характеристика диода.