В качестве элементов сверхпроводящей памяти предлагается использовать структуры со спиральным антиферромагнетиком. Первая структура состоит из двух слоев, одного сверхпроводящего и одного магнитного со спиральной намагниченностью. Вторая является джозефсоновским контактом со спиральным магнетиком в качестве слабой связи. Описана схема переключения между логическими состояниями в предложенных структурах. В работе использованы материалы проекта ТЗ-93 " Квантовые твердотельные системы" в рамках Программы " Научный фонд Национального исследовательского университета " Высшая школа экономики" (НИУ ВШЭ) и с использованием средств субсидии на государственную поддержку ведущих университетов Российской Федерации в целях повышения их конкурентоспособности среди ведущих мировых научнообразовательных центров, выделенной НИУ ВШЭ.