A.V. Butko, V.Y. Butko, Y.A.Kumzerov Ioffe Institute, 194021, St. Petersburg, Russia Hybrid nanostructures with large interface between nanostructural elements play an important role in the modern electronics. Among these nanostructures are hybrid nanostructures formed at the interface of graphene with ensembles of molecular ions in the solution gated Graphene Field Effect Transistors (GFETs) that are promising for chemical and biological sensor fabrication. Therefore investigation of interfacial effects in electrical transport in these systems is interesting. This work is a theoretical study of dependence of the charge carrier mobility (µ) in these nanostructures on density of the interfacial molecular ions (Nii). We show that dependence µ~1/(Nii)^1/2 obtained in free charge carrier model with short range scattering in case of the weak interaction between the charge carriers and the interfacial ions is in agreement with experimental transistor characteristics obtained at the high gate voltages.

No abstract

Проведено измерение температурной и магнетополевой зависимости вольтамперных характеристик образцов нанопроволок Те, изготовленных путем внедрения из расплава Те в поры хризотилового асбеста. Измерения проходили в широком интервале температур и магнитных полей. Анализ результатов таких измерений проводился путем сравнения их с предсказаниями теоретических моделей, разработанными для случая одномерных структур. Сделан вывод о том, что полученные зависимости наилучшим образом согласуются с предсказаниями теории о жидкости Латтинжера. Этот результат находится в соответствии с представлениями о том, что основной механизм протекания в таких одномерных нитях не зависит от материала, внедренного в поры, а зависит только от размерности проводящих нитей.Работа частично поддержана программой Президиума РАН.

No abstract

No abstract