На виртуальной подложке (001) Si/Ge была выращена структура, состоящая из пяти упругонапряженных метастабильных слоев GeSn толщиной 200 нм каждый, разделенных прослойками из германия толщиной 20 нм. Мольная доля олова в слоях GeSn имела следующие значения: 0.005, 0.034, 0.047, 0.072 и 0.10. После роста структура подвергалась термическому отжигу в течение 2 мин при температуре 400 • C. Показано, что в процессе отжига наряду с пластической релаксацией происходит фазовый распад сплава GeSn, который начинается еще до завершения процесса пластической релаксации. Структурная деградация слоев GeSn возрастала с ростом концентрации олова, которая накапливалась на поверхности структуры в виде аморфного слоя.