Методом оптической микроскопии измерена скорость роста кристаллов III-модификации от температуры при превращении IV -> III в монокристаллах Rb1-xCsxNO3 (x=0.025, 0.05, 0.1). Показано, что скорость роста кристаллов III-модификации в зависимости от температуры при превращении IV -> III описывается эмпирической формулой IV->III=(-0.486Delta T+0.592Delta T2 -0.0015Delta T3)·10-2 см/с для x=0.025, IV-> III=(-0.49Delta T+0.563Delta T2-0.0018Delta T3)·10-2 см/с для x=0.005 и IV->III= (-0.437Delta T+0.484Delta T2-0.0014Delta T3)·10-2см/с для x=0.1, где Delta T=Ttr+T0. Вычислена энергия активации процесса IV -> III превращения, которая равна E=85.5 кДж/моль для x=0.025, E=82.8 кДж/моль для x=0.005 и E=84.8 кДж/моль для x=0.1. Ключевые слова: кристаллы, полиморфные превращения, энергия активации.