Актуальним завданням сучасної хімічної технології є синтез високочистого аморфного діоксиду кремнію з високою питомою поверхнею. Оптимізація технологічних процесів у напрямі зниження енерговитрат та факторів забруднення навколишнього середовища обумовлює активний пошук способів переробки сировини рослинного походження з отриманням діоксиду кремнію із заданими фізико-хімічними характеристиками.Оптимальним, з огляду на енергозбереження, є спосіб переробки рисового лушпиння, що передбачає хімічне очищення рослинної сировини з подальшою її термообробкою. У цій роботі показано, що використання методу подвійної екстракції дозволяє досягти високих характеристик синтезованого з рисової лушпиння діоксиду кремнію. Встановлено, що обробка рисового лушпиння в спиртовому розчині соляної кислоти з подальшою обробкою у водному розчині сірчаної кислоти призводить до очищення сировини від іонів металів та значної кількості лігніну та целюлози. Діоксид кремнію, отриманий в результаті 5 хвилинного випалу при 600 °С підготовленої сировини, є порошок білого кольору з переважним розміром близько 2 мкм і питомою поверхнею 235-250 м2/г. Продукт є рентгеноаморфним та високочистим. Високі характеристики діоксиду кремнію, синтезованого запропонованим способом, відкривають великі перспективи його використання як носії для активних мас каталізаторів, лікарських та косметичних препаратів.

Актуальним завданням сучасного матеріалознавства є підвищення характеристик матеріалів при зниженні енерговитрат і екологічного навантаження на навколишнє середовище при їх синтезі. Одним з матеріалів надзвичайно широкого спектру призначення є силіцій (IV) оксид. Вимоги до його експлуатаційних характеристик на сучасному рівні зводяться до отримання нанорозмірного аморфного силіцій (IV) оксиду високої чистоти. Екологізація виробництва силіцій (IV) оксиду може бути досягнута використанням в якості поновлюваної і дешевої сировини відходів рисового виробництва – рисового лушпиння. Технологія отримання силіцій (IV) оксиду з рисового лушпиння є менш енерговитратною в порівнянні з традиційною переробкою кварцу і рівень забруднюючого впливу на навколишнє середовище такої технології істотно нижче. Для отримання силіцій (IV) оксиду з рисового лушпиння з високим ступенем чистоти в даній роботі запропоновано проводити перед термообробкою рослинної сировини екстракційний витяг аморфної складової целюлози. Ця операція проводилась за температури 100 °C протягом 6 годин при перемішуванні пульпи в 15 %-му розчині сульфатної кислоти. Аналіз фазового складу силіцій (IV) оксиду, отриманого з рисового лушпиння після кислотної обробки, показав, що аморфна фаза SiO2 може бути одержана в діапазоні температур 600–650 °C На підставі результатів дослідження кінетики термодеструкції рисового лушпиння в неізотермічному режимі запропонована математична модель процесу, яка дозволяє визначати ступінь розкладання рисового лушпиння в залежності від температури його термообробки. Це необхідно для проектування обладнання з переробки рисового лушпиння в виробництві силіцій (IV) оксиду високої чистоти.