19%‐efficient and 43 µm‐thick crystalline Si solar cell from layer transfer using porous silicon

Abstract

We present a both‐sides‐contacted thin‐film crystalline silicon (c‐Si) solar cell with a confirmed AM1.5 efficiency of 19.1% using the porous silicon layer transfer process. The aperture area of the cell is 3.98 cm2. This is the highest efficiency ever reported for transferred Si cells. The efficiency improvement over the prior state of the art (16.9%) is achieved by implementing recent developments for Si wafer cells such as surface passivation with aluminum oxide and laser ablation for contacting. The cell has a short‐circuit current density of 37.8 mA cm−2, an open‐circuit voltage of 650 mV, and a fill factor of 77.6%. Copyright © 2011 John Wiley & Sons, Ltd.

All-back-contact ultra-thin silicon nanocone solar cells with 13.7% power conversion efficiency

“…We further exploited the advantages of the all-back-contact design in our nanostructured solar cell by optimizing the pitch between the two contacts. For thick Si solar cells with the all-back-contact design, the pitch is normally 4400 mm, which allows less complicated fabrication processes such as screen-printing of metal contacts [38][39][40] . Previous studies have found that the fill factor (FF) was the only parameter that depended on the pitch in thick Si solar cells 41,42 .…”

Photonic assisted light trapping integrated in ultrathin crystalline silicon solar cells by nanoimprint lithography

“…Technologies that enable the fabrication of thin c-Si layers in the range of 1 μm [2] up to 40 μm [3,4] directly on glass have been proposed. However, c-Si thin-films of a few micrometers suffer from a significantly reduced optical absorption in the red and nearinfrared regions of the solar spectrum.…”

Влияние Гамма-Облучения На Фотолюминесценцию Пористого Кремния

“…В последнее время пористый кремний активно ис-пользуется в электронике и оптоэлектронике в каче-стве ориентирующих подложек для роста различных наноструктур [1,2], как широкозонный материал для комплементарных металлооксидных полупроводниковых технологий (CMOS-технологий) [3], для фотодетекто-ров [4] и солнечных элементов [5], для одномерных фотонных кристаллов [6,7], химических и биологических сенсоров [8] и т. д. Такие приборы находят применение в различных отраслях промышленности, в том числе в военной, космической технике и атомной энергетике, где они могут подвергаться воздействию ионизирующего излучения. Дефекты, возникающие в CМОS-структурах на кремнии под воздействием жесткого ионизирующего облучения, приводят к частичному или полному отказу аппаратуры вследствие окисления кремния после обра-зования дефектов и потери его свойств [9].…”