2.4 GHz-band ultra-low-voltage class-C LC-VCO IC in 65 nm CMOS technology

Yang, Xin; Uchida, Yorikatsu; Xu, Kangyang; Wang, Wei; Yoshimasu, Toshihiko

doi:10.1109/apmc.2013.6695134

Cited by 12 publications

(5 citation statements)

References 6 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Šaltiniuose sutinkamas IG technologinio proceso minimalus žingsnis yra: 0,18 µm, 0,13 µm, 90 nm ir 65 nm. Wang, & Yoshimasu, 2013) 65 nm 2,33 9,21 −111,00 0,58 −179,81 1 █ -fazės triukšmas esant 0,1MHz nuokrypiui f N nuo centrinio dažnio f 0 . █ -fazės triukšmas esant 3MHz nuokrypiui f N nuo centrinio dažnio f 0 .…”

Section: Lc įTampa Valdomų Generatorių Pagrindinių Parametrų Bei Architektūrų Analizėunclassified

See 1 more Smart Citation

Nanometrinių ir submikroninių integrinių grandynų įtampa ir skaitmeniniu būdu valdomiems generatoriams kūrimas ir tyrimas

Mačaitis¹

2019

View full text Add to dashboard Cite

Disertacija rengta 2015-2019 metais Valstybiniame mokslinių tyrimų institute Fizinių ir technologijos mokslų centre. Vadovas prof. habil. dr. Romualdas NAVICKAS (Vilniaus Gedimino technikos universitetas, elektros ir elektronikos inžinerija -T 001). Vilniaus Gedimino technikos universiteto elektros ir elektronikos inžinerijos mokslo krypties disertacijos gynimo taryba: Pirmininkas prof. dr. Šarūnas PAULIKAS (Vilniaus Gedimino technikos universitetas, elektros ir elektronikos inžinerija -T 001). Nariai: dr. Alvydas LISAUSKAS (Lenkijos mokslų akademijos Aukšto slėgio fizikos institutas, fizika -N 002), dr. Vitalij NOVICKIJ (Vilniaus Gedimino technikos universitetas, elektros ir elektronikos inžinerija -T 001), dr. Česlovas ŠIMKEVIČIUS (Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras, elektros ir elektronikos inžinerija -T 001), prof. dr. Algimantas VALINEVIČIUS (Kauno technologijos universitetas, elektros ir elektronikos inžinerija -T 001). Disertacija bus ginama viešame Elektros ir elektronikos inžinerijos mokslo krypties disertacijos gynimo tarybos posėdyje 2019 m. lapkričio 8 d. 13 val. Valstybinio mokslinių tyrimų instituto Fizinių ir technologijos mokslų centro posėdžių salėje D401.

show abstract

Section: Lc įTampa Valdomų Generatorių Pagrindinių Parametrų Bei Architektūrų Analizėunclassified

“…Vartojamoji galia išreiškiama mW ir apžvelgtuose šaltiniuose kinta nuo 0,58 mW (X. Yang et al, 2013) iki 50,00 mW (Nakamura, Masuda, et al, 2012).…”

Section: Lentelė Lc įTampa Valdomų Generatorių Pagrindinių Parametrų Palyginimasunclassified

Nanometrinių ir submikroninių integrinių grandynų įtampa ir skaitmeniniu būdu valdomiems generatoriams kūrimas ir tyrimas

Mačaitis¹

2019

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Iš LC-ĮVG maitinimo įtampos pasiskirstymo apžvelg-tuose darbuose (1 lentelė) matoma, kad LC-ĮVG maitinimo įtampos skirtingo technologinio žingsnio IG kinta nuo 0,3 V (Yang et al 2013) iki 3 V (Nakamura et al 2012). Analizuojant maitinimo įtampas, 180-130 nm technologinio žingsnio integriniame grandyne matyti didesnės maitinimo įtampos vertės (3-0,4 V) nei 64-40 nm technologinio žingsnio integriniame grandyne (1,2-0,3 V).…”

Section: Lc-įvg Pagrindinių Parametrų Analizėunclassified

Analysis of Main LC-VCO Parameters for Multistandard Tranceivers

Mačaitis

Navickas

2017

Science - Future of Lithuania

View full text Add to dashboard Cite

2017 © Straipsnio autoriai. Leidėjas VGTU leidykla "Technika". Šis straipsnis yra atvirosios prieigos straipsnis, turintis Kūrybinių bendrijų (Creative Commons) licenciją (CC BY-NC 4.0), kuri leidžia neribotą straipsnio ar jo dalių panaudą su privaloma sąlyga nurodyti autorių ir pirminį šaltinį. Straipsnis ar jo dalys negali būti naudojami komerciniams tikslams. ISSN 2029-2341 / eISSN 2029-2252 https://doi.org/10. 3846/mla.2017.1043 ELEKTroNIKa Ir ELEKTroTEChNIKa ELECTroNICS aNd ELECTrICaL ENGINEErING 2017 9(3): 324-328 žemųjų dažnių filtro, moduliatoriaus ir galios stiprintuvo (GS). Bevielio ryšio siųstuve-imtuve kaip dažnio sintezatorius dažniausiai yra naudojama fazės derinimo kilpa FDK (angl. phase locked loop (PLL). Dažniausiai tokie siųstu-vai-imtuvai veikia dažnių ruože nuo 0,1 GHz iki 13 GHz. Norint padengti platų dažnių ruožą, reikalinga fazės derinimo kilpa, kurioje dažnį garantuos keletas LC įtampa valdomų generatorių (LC-ĮVG). MOKSLAS -LIETUVOS ATEITIS SCIENCE -FUTURE OF LITHUANIAKlasikinę FDK sudaro penki pagrindiniai komponentai: fazės detektorius (FD), krūvio pompa (KP), žemųjų dažnių filtras (ŽDF), įtampa valdomas generatorius (ĮVG) ir dažnio daliklis (÷N). FD nustato dažnio ir fazės neatitikimą tarp atraminio f REF ir grįžtamojo ryšio f DIV įėjimų. Kitas etapas -FD UP arba DN signalų generavimas. UP signalai generuojami, kai grįžtamojo ryšio signalo f DIV dažnis atsilieka nuo f REF . Priešingu atveju generuojami DN signalai. KP gaunant UP signalą yra generuojamas teigiamas srovės impulsas, priešingu atveju, gavus DN signalą, -generuojamas impulsas, kuris yra neigiamas. Srovės impulsai iš KP patenka į ŽDF. Čia vyksta signalų integravimas ir filtravimas. ŽDF siunčia valdymo signalą į ĮVG, tuomet ĮVG išėjimo dažnis yra didinamas arba mažinamas, taip fazės paklaida yra pašalinama. Jei FD išsiunčia UP signalą, tuomet ĮVG didina išėjimo dažnį, jei išsiunčiamas DN signalas -ĮVG išėjimo dažnis mažinamas. įvadasŠiuo metu bevielio ryšio technologijos sparčiai tobulėja. Daugelis žmonių naudojasi išmaniaisiais bevielio ryšio įrenginiais, kurie gali veikti keliais bevielio ryšio standartais. Norint pasiekti didesnį bevielių išmaniųjų prietaisų funkcionalumą bevielio ryšio standartų skaičius vis labiau didinamas. Išmanusis bevielis įrenginys gali komunikuoti skirtingais bevielio ryšio standartais keliais būdais. Pirmasis -tai įrenginyje sumontuoti lustai, atsakingi už tam tikrą bevielio ryšio standartą. Antrasis -tai vienas universalus lustas, gebantis dirbti daugiastandarčiu, daugiajuosčiu režimu. Šis sprendimas, lyginant su daugialuste sistema, turi kelis pagrindinius privalumus. Naudojant vieną universalų lustą mobiliajame išmaniajame prietaise galima itin sumažinti lustų, skirtų daugiastandarčiam ryšiui perduoti, plotą. Į tai atsižvelgus likęs plotas gali būti panaudotas papildomoms įrenginio funkcijoms. Naudojant vieną lustą pats įrenginys gali būti kompaktiškesnis. Kitas privalumas -sumažėjusi suvartojama energija.Norint naudotis tame pačiame luste keliomis bevielio ryšio technologijomis būtinas dau...

show abstract

“…The demand for voltage-controlled oscillators (VCOs) capable of operating at several frequency bands to provide pure sinusoidal signals with compact size, low DC power consumption, and low phase noise at the same time has been constantly increasing [1][2][3]. Some VCOs used switched-capacitor arrays to increase their frequency tuning range [4,5]. However, their improved tuning ranges were less than 55%, and they occupied large chip areas due to the purely passive inductors in the LC tank.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

A Compact 0.73~3.1 GHz CMOS VCO Based on Active-Inductor and Active-Resistor Topology

Pakasiri,

Hsu,

Wang

2024

JLPEA

View full text Add to dashboard Cite

In this paper, a wideband VCO that covers popular Long-Term Evolution (LTE) 0.7 GHz and LTE 2.6 GHz frequencies is designed and developed in a standard 0.18 μm CMOS process. The VCO utilizes active inductors to achieve coarse-tuning of the inductance and a compact chip area. Moreover, an active feedback resistor is introduced into the active inductor for fine-tuning of the inductance. The feedback resistor also affects the equivalent resistance of the active inductor; therefore, wide inductance tuning and low power consumption can be obtained by optimizing the resistor. The core area of the fabricated CMOS chip is merely 0.046 mm2, excluding all testing pads. With a 6.7~10.1 mW DC consumption, the measured oscillation frequencies range from 0.73 GHz to 3.1 GHz, which demonstrates a 123.8% tuning range. At the frequencies of interest, the measured phase noises are from −80.7 to −84.5 dBc/Hz at a 1 MHz offset frequency.

show abstract

2.4 GHz-band ultra-low-voltage class-C LC-VCO IC in 65 nm CMOS technology

Cited by 12 publications

References 6 publications

Nanometrinių ir submikroninių integrinių grandynų įtampa ir skaitmeniniu būdu valdomiems generatoriams kūrimas ir tyrimas

Nanometrinių ir submikroninių integrinių grandynų įtampa ir skaitmeniniu būdu valdomiems generatoriams kūrimas ir tyrimas

Analysis of Main LC-VCO Parameters for Multistandard Tranceivers

A Compact 0.73~3.1 GHz CMOS VCO Based on Active-Inductor and Active-Resistor Topology

Contact Info

Product

Resources

About