A novel nanoscale fin field effect transistor by amended channel: Investigation and fundamental physics

Karimi, Fa.; Orouji, Ali A.

doi:10.1016/j.physe.2015.06.008

Cited by 7 publications

(2 citation statements)

References 22 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Вместе с тем направленные изменения геометрии и структуры транзистора могут улучшить ККЭ. Поэтому с этим в последнее время проводится много исследований, связанных с моделированием влияния параметров наномасштабных МОП-транзисторов на ККЭ, в частности на DIBL-эффект в FinFET-транзисторах [4][5][6][7][8][9]. Так, в работах [4,7] моделировалось влияние расширения стоковых (истоковых) областей на DIBL.…”

unclassified

“…Показано, что наименьшие ККЭ проявляются для треугольного сечения плавника [5] и при соотношении высоты плавника к ширине, меньшем 3 [6]. Моделируются также более сложные формы плавника [8,9]. В [8] рассматривался транзистор с плавником, нижняя часть которого имеет закругленную поверхность, а верхняя -форму куба, и показано, что транзистор с подправленной формой проявляет заметно меньшие короткоканальные эффекты.…”

unclassified

See 1 more Smart Citation

Влияние формы плавника и толщины скрытого оксидного слоя на DIBL-эффект в FinFET-транзисторе, изготовленном по технологии "кремний на изоляторе"

Абдикаримов¹,

Юсупов²,

Атамуратов³

2018

Письма В Журнал Технической Физики

View full text Add to dashboard Cite

In this paper, we simulated the dependence of the effect of reducing the drain-induced barrier lowering on the thickness of a buried oxide layer in a finned (vertical) metal-oxide-semiconductor field effect transistor (FinFET) based on silicon-on-insulator technology. Three shapes of the fin with the rectangle, trapezoid, and triangle cross sections were considered. The drain-induced barrier lowering effect significantly depends on both the fin shape and the thickness of the buried oxide layer. The smallest drain-induced barrier lowering effect occurs when the thickness of the buried oxide layer is small for the fin of a triangular shape. This behavior of the drain-induced barrier lowering effect is strongly correlated with the behavior of the parasitic capacitance between a gate and a source.

show abstract

unclassified