Photoleitfähigkeit ist eine charakteristischeE igenschaft von Halbleitern. Hier präsentieren wir photoleitende kristalline MOF-Dünnschichten mit einem An/Aus-Photoleitfähigkeitsverhältnis von zwei Grçßenordnungen. Diese orientierten, oberflächenverankerten MOF-Dünnschichten (SURMOFs) enthalten Porphyrin im Gerüst und C 60 -Gastmoleküle in den Poren. DurchV ergleichm it Ergebnissen von Referenz-MOF-Strukturen sowiea uf Basis von DFT-Rechnungen kommen wir zu dem Schluss,d ass eine Donor-Akzeptor-Wechselwirkung zwischen dem Porphyrin des MOF-Wirtmaterials und den C 60 -Gastmolekülen zu einer schnellen Ladungstrennung führt. Anschließend werden Lçcher und Elektronen in separaten Kanälen durchP orphyrin und C 60 transportiert. Die Fähigkeit, die Eigenschaften und Energieniveaus der aktiven Moleküle Porphyrin und Fulleren abzustimmen, kombiniert mit der kontrollierten Anordnung von Donor-Akzeptor-Paaren in einem solchen geordneten Gerüst, bietet ein enormes Potenzial, das An/Aus-Photoleitfähigkeitsverhältnis weiter zu erhçhen. Abbildung 3. Photoleitfähigkeit in C 60 @Zn(TPP). a) Der gemessene Gleichstrom bei einer Spannung von 2V ,während die Probe mit Licht von l = 640, 530, 455, 400 und 365 nm bestrahlt wird. Der Strom ohne Lichteinstrahlung beträgt 0.11 nA. Das Power-Spektrum der Photoleitfähigkeit ist in AbbildungS11 dargestellt. b) Die Strom-Spannungs-Kurve der Probe im Dunkeln (schwarze Kugeln) und unter Bestrahlung mit l = 455 nm (blaue Kugeln). Der Log-Plot der Daten ist in Abbildung S8 dargestellt. c) Der Photostrom bei verschiedenen Bestrahlungsintensitäten mit Licht von 455 nm Wellenlänge.