A scalable advanced RF IC design-oriented MOSFET model

Bucher, Matthias; Bazigos, Antonios; Yoshitomi, Sadayuki

doi:10.1002/mmce.20288

Cited by 11 publications

(7 citation statements)

References 14 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Order By: Relevance

“…The intrinsic model is complemented by a fully scalable RF parasitic network for gate and substrate parasitics [4,5]. A channel segmentation technique ensures consistent handling of NQS modelling [6] under small-and large-signal conditions.…”

Section: Methodsmentioning

confidence: 99%

High‐frequency scalable compact modelling of Si RF‐CMOS technology

Bazigos

Bucher

Sakalas

et al. 2008

Phys. Status Solidi (c)

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

Stability instead of explosiveness characterizes a novel diazonium ion T2* on a solid support, which opens a facile route to the versatile chemistry of diazo compounds and triazenes. This diazonium ion can be used as a linker for the immobilization and modification of amines (see scheme). The high stability also allows its application as a scavenger for amines, anilines, and phenols in combinatorial synthesis in the liquid phase.

show abstract

Section: Methodsmentioning

confidence: 99%

High‐frequency scalable compact modelling of Si RF‐CMOS technology

Bazigos

Bucher

Sakalas

et al. 2008

Phys. Status Solidi (c)

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…An RF compact model should predict the electrical behaviour of MOS devices over a large range of frequency, geometry and bias. Former work showed the EKV3 model application on 180nm, 110nm, 90nm CMOS technologies, mostly in the frequency range up to 20 GHz. In the present work, the EKV3 compact model is presented up to millimetre‐wave frequencies, for the TSMC 90 nm RF LP process.…”

Section: Implementation Of Ekv3 Verilog‐a‐based Model Into Ngspice VImentioning

confidence: 99%

Open‐source circuit simulation tools for RF compact semiconductor device modelling

Grabinski¹,

Brinson

Nenzi

et al. 2014

Int J Numerical Modelling

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

SUMMARYMOS-Modelle und Parameterextraktion Arbeitskreis (MOS-AK) is a European, independent compact modelling forum created by a group of engineers, researchers and compact modelling enthusiasts to promote advanced compact modelling techniques and model standardization using high-level behavioural modelling languages such as VHDL-AMS and Verilog-A. This invited paper summarizes recent MOS-AK open-source compact model standardization activities and presents advanced topics in metal-oxide-semiconductor field-effect transistor modelling, focusing in particular on analogue/radio frequency applications. The paper discusses links between compact models and design methodologies, finally introducing elements of compact model standardization. The opensource computer-aided design tools Qucs, QucsStudio and ngspice all support Verilog-A as a hardware description language for compact model standardization. Latter sections of this paper describe a Verilog-A implementation of the EKV3 MOS transistor model. Additionally, the simulated radio frequency model performance is evaluated and compared with experimental results for 90 nm CMOS technology.

show abstract

“…A compact model should predict the electrical behavior of MOS devices over a large range of frequency, geometry, and bias. Former work showed the EKV3 model's validity up to 30 GHz, for 110 [116] and 180 nm [115] CMOS processes. In this thesis, the EKV3 compact model is presented for RF FoM essential for RFIC design, with respect to inversion level.…”

Section: Resultsmentioning

confidence: 99%

“…For maximum gain to occur, source and load impedances should be matched, that is: Y S = Y * 11 and Y G = Y * 22 . U can be derived via Y-, Z-, or H-parameters in a similar way [115,116]. f max can then be calculated according to (4.21).…”

Section: Maximum Oscillation Frequencymentioning

confidence: 99%

Nanoscale RF CMOS transceiver design

Αντωνόπουλος¹

View full text Add to dashboard Cite

Η παρούσα διατριβή, παρέχει κατευθυντήριες γραμμές για σχεδίαση RF κυκλωμάτων, πολύ χαμηλής κατανάλωσης, εστιάζοντας στην σχεδίαση ενισχυτών χαμηλού θορύβου (LNA). Για τον σκοπό αυτό, έχει υλοποιηθεί, μετρηθεί, χαρακτηριστεί και μοντελοποιηθεί τεχνολογία 90 nm της TSMC, από συνθήκες μηδενικής συχνότητας (DC) μέχρι RF. Οι παρασιτικές χωρητικότητες που εμφανίζονται στις μετρήσεις RF και θορύβου, λόγω της ύπαρξης των δομών για την ηλεκτρική επαφή (pads) και των γραμμών μεταφοράς, έχουν αφαιρεθεί από τις δομές που μελετήθηκαν, μέσω συγκεκριμένων τεχνικών (de-embedding). Ο θερμικός θόρυβος των CMOS διατάξεων έχει μελετηθεί μέσω παραμέτρων θορύβου, οι οποίες μοντελοποιούνται και επαληθεύονται μέσω μετρήσεων για πρώτη φορά, για διάφορα μήκη καναλιού, ως προς έναν χαρακτηριστικό δείκτη αναστροφής στο κανάλι του MOS transistor, ονόματι δείκτης αναστροφής. Το βέλτιστο σημείο πόλωσης για την ελαχιστοποίηση του θορύβου, επιτυγχάνεται κοντά σε μέτρια επίπεδα αναστροφής και φαίνεται να μετατοπίζεται προς το μέσο της περιοχής μέτριας αναστροφής, με την μείωση του μήκους καναλιού. Η RF απόδοσή των ενεργών δομών της τεχνολογίας μελετάται μέσω χαρακτηριστικών δεικτών απόδοσης, οι οποίοι εξετάζονται ως προς το μήκος καναλιού και τον δείκτη αναστροφής, παρουσιάζοντας αντίστοιχη συμπεριφορά με τους δείκτες θορύβου.Τα αποτελέσματα επικυρώνονται με το συμπαγές μοντέλο EKV3.Εντέλει, παρουσιάζονται εφαρμογές όλων των παραπάνω χαρακτηριστικών απόδοσης, σε ολοκληρωμένα κυκλώματα ενισχυτών χαμηλού θορύβου. Η βέλτιστη απόδοση ενός cascode LNA στα 5 GHz επιτυγχάνεται κάνοντας χρήση του εξαχθέντος EKV3 μοντέλου, χρησιμοποιώντας τις κατευθυντήριες γραμμές που προτείνονται στα πλαίσια της διατριβής. Ο ενισχυτής πολώνεται στην περιοχή της μέτριας αναστροφής, επιτυγχάνοντας πολύ υψηλή απόδοση, λαμβάνοντας υπόψη όλους τους επιμέρους δείκτες απόδοσης, όπως κέρδος, θόρυβος, κατανάλωση,

show abstract

A scalable advanced RF IC design-oriented MOSFET model

Cited by 11 publications

References 14 publications

High‐frequency scalable compact modelling of Si RF‐CMOS technology

High‐frequency scalable compact modelling of Si RF‐CMOS technology

Open‐source circuit simulation tools for RF compact semiconductor device modelling

Nanoscale RF CMOS transceiver design

Contact Info

Product

Resources

About