“…В резонаторной камере установки находился при давлении P = 200−400 Pa слабо ионизированный техноло-гический газ (азот, аргон, или их смесь) под одновременным воздействием СВЧ поля, создаваемого магнетроном с рабочей циклической частотой ω = 1.54 • 10 10 s −1 , и постоянного электрического поля, возникающего при подаче на обрабатываемое изделие постоянного положительного потенциала смещения ϕ 0 ≈ 50−250 V. Плазменное облако разряда формировалось вблизи поверхности изделия. Предложенный в [26][27][28][29] способ обработки позволяет сфокусировать СВЧ энергию непосредственно на обрабатываемом изделии, и этим он существенно отличается от подхода, развитого в [30,31]. Обычно используемая для обработки СВЧ мощность, составляющая P 0 ≈ 30−150 W, поступала от магнетрона по кольцевому волноводу через прорези в резонаторную камеру.…”