AlInSb/InSb-гетероструктуры для ИК-фотоприемников, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Abstract

A photodetector heterostructure based on AlInSb / InSb grown by molecular beam epitaxy was presented. Mesastructures of various diameters were fabricated and the temperature dependence of the dark current was measured. It was shown that the built-in barrier blocks the flow of the main charge carriers, thereby reducing the dark current density, in comparison with the pin structure based on InSb. By measuring the dependence of the dark current on the size of the mesastructure, it was shown that the bulk component of the current prevails over the surface component.

Процесс десорбции оксида с поверхности InSb в потоке сурьмы

“…Основой тепловизионных устройств являются матричные фотоприемные устройства ИК диапазона, формирующие изображение. Для создания матричных фотоприемников среднего ИК диапазона (3−5 мкм) широко применяются полупроводниковые гетероструктуры на основе InSb [1][2][3], которые обычно выращиваются на подложках InSb. Перед эпитаксиальным наращиванием подложки очищают и удаляют слой оксида с поверхности, иначе его остатки приводят к формированию дефектов на границе слоя и подложки [4].…”