A photodetector heterostructure based on AlInSb / InSb grown by molecular beam epitaxy was presented. Mesastructures of various diameters were fabricated and the temperature dependence of the dark current was measured. It was shown that the built-in barrier blocks the flow of the main charge carriers, thereby reducing the dark current density, in comparison with the pin structure based on InSb. By measuring the dependence of the dark current on the size of the mesastructure, it was shown that the bulk component of the current prevails over the surface component.

The first results of the electrons drift velocity study in inverted AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic heterostructures with donor-acceptor doping and short-period AlAs/GaAs superlattices are presented. It is theoretically shown that the introduction of superlattices significantly, up to one and a half times, increases the electrons drift velocity overshot when they enter the region of a strong field. Localized states in the superlattice between the quantum well and the substrate have been found. It is shown that this effect leads to an additional increase in the electrons drift velocity overshot up to the theoretical limit for the model used, i.e., a drift velocity overshot in the bulk material of the quantum well.

Исследовано влияние профиля распределения атомов кремния в донорных δ-слоях гетероструктур AlGaAs/InGaAs/AlGaAs с донорно-акцепторным легированием на подвижность двумерного электронного газа. Параметры профилей δ-слоев определялись путем аппроксимации нормальным распределением про-странственных распределений атомов кремния, измеренных методом вторичной ионной масс-спектроскопии. Показано, что соответствующим выбором условий роста значение стандартного отклонения σ профиля δ-слоев было уменьшено с 3.4 до 2.5 нм. Измерения магнитополевых зависимостей эффекта Холла и проводимости позволили установить, что в результате такого уменьшения σ подвижность двумерного электронного газа в гетероструктурах возросла на 4000 см 2 /В · с при 77 K и 600 см 2 /В · с при 300 K. Проведенный расчет подвижности с учетом заполнения двух первых подзон размерного квантования показал, что возрастание подвижности хорошо объясняется ослаблением кулоновского рассеяния на ионизированных донорах вследствие увеличения эффективной толщины спейсерного слоя при уменьшении значения σ профиля δ-слоев.