Проведено исследование влияния облучения ионами С 2+ на изменение оптических и структурных свойств керамик на основе AlN. Выбор иона С 2+ обусловлен возможностью моделирования образования дефектов в приповерхностных слоях, а также образованием карбидных фаз в структуре при облучении. Согласно данным XRD в структуре облученных образцов наблюдается образование примесной фазы, характерной для Rhombohedral Al 4 C 3 , наличие которой обусловлено имплантацией ионов углерода в приповерхностные слои не более 150 нм. Снижение интенсивности TSL спектра для облученных образцов обусловлено возникновением дефектов, а также увеличением концентрации примесных атомов, которые приводят к замещению атомов Al и N в структуре. При дозе облучения 10 15 ион/см 2 наблюдается резкое увеличение спектра поглощения и величины оптического поглощения.Ключевые слова: керамические материалы, радиационные дефекты, хиллоки, кристаллическая структура, тяжелые ионы.