Analysis of conditions for microwave generation by a Bursian diode

Abstract

We found that the presence of a reactance in the external circuit of a diode with an electron beam can greatly change its operation modes. We were able to demonstrate that when an inductance is included in the external circuit of a Bursian diode with a retarded electron flow, instability can appear in the system diode–external circuit. Parameters at which the diode can generate oscillations are determined. Growth rates and frequencies of the instability are calculated.

Лазерное, Фотоэмиссионное Возбуждение Упругих Колебаний В Микрооптоэлектромеханических Системах

“…В результате верхняя граничная частота колебаний силы F e может достигать f max ≈ 1 2τ rel ≃ 25 GHz. В заключение отметим следующее: с учетом того, что ВД по существу представляет собой колебательную систему [11], свойства МOEMS определяются взаимодействием трех существенно разных по своей природе резонаторов: электронного (ВД); оптического (NFPC) и механического (МОМRS), что может приводить к интересной нелинейной динамике, зависящей от соотношений между их собственными частотами. Это открывает новые возможности для создания на основе МOEMS быстродействующих оптических функциональных элементов (модуляторов, переключателей и др.…”