Analysis of profiles of atomic distribution over the depth of Si-Me free nanofilm systems

Effect of Co+-ion implantation on the composition and properties of free Si–Cu nanofilm structures

“…The effect of ion implantation on the properties of free Si films has barely been investigated. We have previously studied [5] the composition and structure of a Si nanofilm grown on the surface of a free Cu (100) film. It was shown that due to mutual diffusion an 80-100 Å thick transition layer formed at the Si-Cu interface.…”

Distribution of Molybdenum Atoms over Depth of the Surface Layer of a Niobium Single Crystal Produced by Ion Bombardment

“…

One of the fundamental directions in the use of ion implantation of metals is the creation of surface alloys of any composition. And their quantitative characteristic is the distribution of atoms of the impurity element in depth of the surface layer of the metal substrate [1][2][3][4][5]. In the study of the contribution of each component in changing the electronic structure, emission-adsorption and catalytic properties of multicomponent metal alloys, the creation of particularly pure metal solid solutions, as well as the determination of the actual concentration of alloying elements and their distribution in the surface layer of crystals are of great value.

…”

“…To study the distribution profiles of the concentration of ion-implanted atoms of refractory metals in alloys based on refractory metals, the method of layer-by-layer analysis using Auger electron spectroscopy in conjunction with an argon ion cannon is used. In this work, on the example of implantation of low-energy molybdenum ions into a single crystal of niobium facet (100), the features of creating surface alloys based on refractory metals with a low concentration of the alloying element and the distribution of the ion-implanted metal in the near-surface region of the crystal are studied [5][6][7][8][9].…”

Изучение Критического Угла Каналирования Ионов Активных Металлов Через Тонкие Пленки Алюминия

“…Если рассеивающей средой является монокристалл, то последовательные столкновения налетающих ионов с атомами кристалла становятся сильно связанными, что приводит к появлению многих эффектов, обусловленных упорядоченным расположением атомов кристалла. Результаты экспериментальных и теоретических работ показали, что такой характер взаимодействия в свою очередь позволяет получить сведения о структуре кристалла, характере движения в нем атомных частиц, дефектообразовании и локализации примесных атомов в кристаллической решетке [1][2][3][4][5][6][7][8][9][10]. Известно, что бомбардировка ионами активных металлов с энергией 1−100 keV используется для модификации свойств поверхности и получения наноразмерных структур с заданными физическими свойствами на различных глубинах приповерхностной области материалов [11][12][13][14], а также для изучения степени монокристалличности кристаллов [2,4,7].…”

“…При бомбардировке тонких монокристаллических пленок ионами часть ионов вследствие осевого и плоскостного каналирования проходит через образец с малой потерей энергии [3,4,7]. Каналирование в первую очередь зависит от угла падения первичного пучка на поверхность образца.…”