Analysis of thin film polysilicon on graphite substrates deposited in a thermal CVD system

Doped Polycrystalline Silicon Thin Films Deposited on Glass from Trichlorosilane**

“…Under certain circumstances, oxygen may form complicated multi‐atom centers in silicon, called “thermal donors”, which act as electrically active donor states, that is, as n ‐type dopants . In the work of Angermeier et al, resistivities of about 20 Ω cm are reported for non‐intentionally doped poly‐Si layers grown on graphite substrates. The large resistivities measured for our intrinsic samples are an indication of the absence of substantial contamination in the deposition system that we use.…”

“…By producing poly‐Si thin films with other reactor types, and at higher deposition temperatures (between 1000 and 1200 °C), other groups have obtained larger grain sizes, in the range 1 to 10 μm . In those works, higher temperature‐resistant materials, such as oxidized silicon, alumina, mullite, and graphite, were used as substrates.…”

Obtention of Thin Polycrystalline Silicon Films From Chlorosilanes in CVD Reactors

“…Esta disminución se vuelve más notoria cuanto mayor sea la temperatura de las paredes del reactor, y cuanto mayor sea el trayecto que los gases deban recorrer dentro de la zona caliente del reactor hasta llegar al sustrato. En trabajos anteriores (11,12) se reportaron deposiciones de pc-Si mediante CVD a temperaturas entre 800 y 1250ºC, usando como sustrato SiO 2 , grafito y materiales cerámicos. Las velocidades de deposición reportadas son crecientes hasta aproximadamente 1000ºC y mayores que las obtenidas por nosotros (aunque del mismo orden para las temperaturas más bajas, que son estudiadas en este trabajo).…”

“…3, se tiene un crecimiento suave con la temperatura y una dispersión relativamente grande. Esta tendencia creciente con la temperatura está de acuerdo con resultados publicados en trabajos anteriores (10) ; como también lo está la amplia variación de tamaño entre granos de una misma película (11,12) . Sin embargo, según se informa en estos trabajos, el tamaño de grano promedio es relativamente grande, entre 1 y más de 10 mayores a los presentados aquí.…”

Large-grained oriented polycrystalline silicon thin films prepared by nickel-silicide-induced crystallization

“…Several methods of preparation have been developed, like the direct deposition of poly-Si in a CVD reactor at high temperatures, using hydrogen and chlorosilanes as reactant gases [1,2], or the indirect deposition through a crystallization process from amorphous silicon. The latter is the appropriate method when the substrate requires a low-temperature process, like the glass substrates to be used for solar cells [3][4][5][6][7] or for large-area imagers based on thin-film transistors [8].…”