APPLICATION OF POROUS GaAs IN THE MANUFACTURE OF SCHOTTKY DIODES

Abstract

Уточнены научные данные о зависимости Φ б от приложенного напряжения в области смещений, ограничен-ной отрезками между 0,4...0,6 В, что приводит соответственно и к изменению фактора идеальности n. Установ-лено, что увеличение высоты барьера влияет на фактор идеальности. При рекомендуемом способе термической обработки барьерных переходов Pd/por-GaAs значения фактора идеальности варьируются в диапазоне n=1,39…1,42, согласно результатам расчетов по ВАХ различными методами относительная погрешность изме-рений не превышает ±2%. При небольшой протяженности экспоненциального участка ВАХ для определения высоты потенциального барьера предложенным методом является наиболее точным, поскольку он учитывает последовательное сопротивление и участок ВАХ при V <kT/q. Обнаружено, что основную погрешность в рас-считанные параметры в исследуемом диоде вносит несоответствие реальной ВАХ ее модели: температурная зависимость высоты барьера и зависимость фактора идеальности от напряжения.Ключевые слова: полупроводник, пористость, GaAs, идеальность.ЗАСТОСУВАННЯ ПОРУВАТИХ ШАРІВ GaAs ПРИ ВИГОТОВЛЕННІ ДІОДІВ ШОТТКИ А. П. Оксанич, М. Г. Когдась, О. Г. Холод, М. А. Мащенко Кременчуцький національний університет імені Михайла Остроградського вул. Першотравнева, 20, м. Кременчук, 39600, Україна. Е-mail: kogdasMax@gmail.com Поруваті напівпровідникові матеріали мають унікальні хімічні і фізичні властивості через їх надзвичайно малий розмір і велике відношення поверхні до об'єму, тому вони відкривають альтернативні можливості для їх різних потенційних застосувань в оптоелектроніці, хімічному і біохімічному зондуванні. На відміну від елект-ричних властивостей діодів Шоттки Pd/n-GaAs, які широко досліджені, електронні властивості Pd/por-GaAs не вивчені досі, за винятком кількох публікацій, присвячених електричним характеристикам поруватих структур GaAs/p+-GaAs і Pd/поруватий-GaAs -датчик газу на основі діоду Шоттки. Включення поруватого GaAs в акти-вний пристрій вимагає розуміння електричних і діелектричних характеристик складу. Тому вивчення електрич-них властивостей Pd/por-GaAs/n-GaAs представляє великий інтерес, оскільки очікується збільшення ефективно-сті поруватих електронних пристроїв на основі GaAs. Уточнено наукові дані про залежність Φ б від прикладеної напруги в області зсувів, обмеженою відрізками між 0,4...0,6 В, що призводить відповідно і до зміни фактору ідеальності n. Встановлено, що збільшення висоти бар'єру впливає на фактор ідеальності. При рекомендовано-му способі термічної обробки бар'єрних переходів Pd/por-GaAs значення фактора ідеальності варіюються в діапазоні n = 1,39...1,42, згідно з результатами розрахунків по ВАХ різними методами відносна похибка вимі-рювань не перевищує ± 2%. При невеликій протяжності експоненціальної ділянки ВАХ для визначення висоти потенційного бар'єру запропонованим методом є найбільш точним, оскільки він враховує послідовний опір і ділянку ВАХ при V<kT/q. Виявлено, що основну похибку в розрахованих параметри в досліджуваному діоді вносить невідповідність реальної ВАХ до її моделі: температурна залеж...

The Modeling of Progress of Production Defects in Surface Layers of Functional Optical Components of Moems

“…The scientific field of low-dimensional semiconductor structures is a rapidly developing part of the science of materials, which has significant technological applications [1][2][3][4][5][6]. At the moment, the scientific world is studying silicon -as the main material for substrates in electronic devices, MEMS and MOEMS.…”