Aspectos de modelagem numérica de transistores de fios quânticos

Abstract

A Deus por estar em minha vida e tornar todos os meus sonhos possíveis e realizáveis. À FAPESP, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo, pelo fomento a minha pesquisa (Processo Nº. 2008/52828-4). Ao meu Orientador Prof. Dr. Murilo Araujo Romero e a minha Co-Orientadora Prof. Dra. Regiane Ragi, pela imensa credibilidade e pela grande orientação. Muito Obrigado! Agradeço a minha família, em especialmente meu Pai, minha Mãe e minha Irmã por todo o apoio e a confiança depositada em mim desde o começo, tornando possível este sonho. Agradeço também a minha Vó pela a sustentação na fé, tornando toda a minha jornada bem mais fácil. Agradeço, principalmente, minha namorada Mariana que desde sempre acreditou em mim e me ajudou de diversas formas, viabilizando assim a conquista de mais este degrau em minha carreira acadêmica. Amo todos vocês! A minha família sancarlense, companheiros da República Zero-KCal: Ulysses, A todos os meus colegas de turma de Física-04 da UFSCar. A todos que direta ou indiretamente colaboraram de uma forma ou de outra com a concretização deste sonho. Peço perdão àqueles que omiti. Palavras-chave: transistores, fios quânticos, poços quânticos, nanoeletrônica, métodos numéricos. ii iii AbstractThis dissertation discusses the development of analytical and numerical models for the electrical characteristics of quantum wire transistors. A study is carried out, implementing a sequence of formalisms and computational tools for the self-consistent solution of the equations of Schrödinger and Poisson in quantum wells and quantum wires. By using this numerical formulation it is possible to determine the eigenstates, energy levels and free-carrier electronic density, among other relevant parameters for quantum wire devices.In addition, we also conducted an analytical study concerning semiconductor heetrostrucures of interest for reduced dimensionality devices applications. This study led to results regarding the development of theoretical models for the electrical characteristics of devices based on the resonant tunneling mechanism. The results obtained for the current-voltage (I-V) characteristics in the investigated heterostructures were satisfactorily compared to those available at the published literature and this analytical tool was then used to compute the electronic transmission coefficient in a resonant tunneling quantum wire diode.

Efeito Polarônico em Pontos Quânticos Semicondutores Compostos de GaAs-AlGaAs

“…Entretanto, foi a partir do desenvolvimento de técnicas mais sofi sticadas, para o crescimento de materiais, que o conhecimento teórico sobre nanoestruturas semicondutoras pode realmente ser aproveitado. Dentre as técnicas utilizadas para crescimento e caracterização de materiais semicondutores podemos citar: Epitaxia por Feixe Molecular (Moleuclar Beam Epitaxy -MBE) e Deposição por Vapor Químico-Organometálico (Metal-Organic Chemical Vapour Deposition -MOCVD) 6,10 .…”

Gestão da Produção em Foco - Volume 31

“…Em conjunto com o modelo utilizado, foi adotada a abordagem de Programação por Metas (Ignizio, 1978) para lidar com o aspecto de conflito de objetivos de cada etapa ou parte do processo (Pimentel, 2011). Nóbrega (1996) Em linhas gerais, pelas suas características, este problema deverá exigir utilização conjunta de uma ou mais técnicas de otimização, podendo incluir heurística ou meta heurística. A solução final deverá avaliar, também, aspectos de aleatoriedade, risco e tomada de decisão que são inerentes a este processo.…”