Atomic and electronic structure of amorphous and nanocrystalline layers of semi-insulating silicon produced by chemical-vapor deposition at low pressures

Domashevskaya, É. P.; Терехов, В. А.; Turishchev, S. Yu.; Prijimov, A. S.; Kharin, A. N.; Parinova, E. V.; Rumyantseva, N. A.; Usol’tseva, D. S.; Fomenko, Yu. L.; Belenko, S. V.

doi:10.1134/s1027451015060257

Cited by 5 publications

(2 citation statements)

References 8 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Order By: Relevance

“…Sensitivity to changes in the chemical environment of the radiating atom is an advantage of X-ray emission spectroscopy. By changes of the XEVB fi ne structure, one can judge the change in the nearest environment, which allows not only elemental, but even phase analysis of the samples [14,15]. And since in the study of REP the transition is used the valence bande-core level transitions, the advantage of the UMRES method is the relative simplicity of interpreting the compared to optical band-band spectra [10][11][12][13].…”

Section: Ultra-soft X-ray Emission Si L 23 Spectra Of Siliconmentioning

confidence: 99%

“…Before irradiation After irradiation PDF 2012 00-029-0855 Palygorskite [ Si L 2,3 -silicon spectra using reference spectra of silicon suboxides of different compositions and silicon dioxide and subsequent fi tting to experimental spectra [14,15], which was carried out to determine the phase composition silicon oxides in samples before and after exposure toWPEMF.…”

Section: Ultra-soft X-ray Emission Si L 23 Spectra Of Siliconmentioning

confidence: 99%

See 1 more Smart Citation

Влияние Слабого Импульсного Электромагнитного Поля На Атомное Строение Природных Алюмосиликатов Клиноптилолита, Монтмориллонита И Палыгорскита

Belchinskaya

Жужукин

Barkov

et al. 2020

kcmf

View full text Add to dashboard Cite

Естественные и искусственные алюмосиликаты являются актуальными объектами исследования благодаря широкому использованию в медицине, пищевой и химической промышленностях, в сельском хозяйстве. Целью работы является исследование возможных изменений под воздействием слабого импульсного электромагнитного поля атомного строения порошкообразных образцов трех минералов: клиноптилолита NaKNa2Ca2(SiSi29Al7)О72·24H2O монтмориллонита, монтмориллонита Ca0.2( AlMg)2Si4O10(OH))2·4H2O и палыгорскита AlSiMgAlSi4O10(OH)4·H2O относящихся к группе природных алюмосиликатов,, относящихся к группе природных алюмосиликатов, в которых кремний-кислородные и алюминий-кислородные тетраэдры связаны между собой общим атомом кислорода.Результаты исследований методами рентгеновской дифракции и ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии показали, что через 48 часов после воздействия слабого импульсного электромагнитного поля 71 мТл в течение 30 секунд атомная и электронная подсистемы образцов минералов все еще сохраняли изменения. Влияние слабого импульсного электромагнитного поля на атомную структуру минералов проявилось по-разному в трех образцах в виде одной-двух дополнительных слабых свехструктурных линий на дифрактограммах. Влияние слабого импульсного электромагнитного поля на локальное окружение кремния атомами кислорода в кремний-кислородных тетраэдрах проявилось в виде изменений тонкой структуры спектров ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии кремния SiLSiL2,3, указывающих на восстановление стехиометрии субоксидов кремния SiO1.8 в составе алюмосиликатов исходных порошков в стехиометрию, равную или близкую диоксиду кремния SiO2, во всех трех минералах. ЛИТЕРАТУРА Гак Е. Рик Т. О влиянии постоянного магнитного поля на кинетику движения ионов в водных растворах сильных электролитов. Доклады АН СССР. 1967;175(4): 856–858. Мартынова О. Гусев Б. Леонтьев Е. К вопросу о механизме влияния магнитного поля на водные растворы солей. Успехи физических наук. 1969;98: 25–31. Чеснокова Л. Вопросы теории и практики магнитной обработки воды и водных систем. М.:.: Цветметинформация с.; 1971. 75 с. Kronenberg K. Experimental evidence for the effects of magnetic fields on moving water. IEEE Transactions on Magnetics. 1985;21(5); 2059–2061. DOI: http://doi.org.10.1109/tmag.1985.10640195 Котова Д. Артамонова М. Крысанова Т. А., Василенко М. С., Новикова Л. А., Бельчинская Л. И., Петухова Г. А. Влияние воздействия импульсного магнитного поля на гидратационные свойства клиноптилолита и глауконита. Физикохимия поверхности и защита материалов. 2018; 54 (4): 327–331. DOI: http://doi.org./10.7868/s0044185618040010 Вернадский В. Курбатов С. Земные силикаты, алюмосиликаты и их аналоги. 4изд. М.: 1937.378с.– 1937. 378 с. CPD S - International Center for Diffraction Data. PDF Card 2012 00-039-1383 CPD S - International Center for Diffraction Data. PDF Card 2012 00-013-0135 CPD S - International Center for Diffraction Data. PDF Card 2012 00-029-0855 Зимкина Т. Фомичев В. Ультрамягкая рентгеновская спектроскопия. Ленинград: изд-во ЛГУ; 1971. 132 с. Шулаков А. Степанов А. Глубина генерации ультрамягкого рентгеновского излучения в SiO2. Поверхность. Физ. Хим. Мех. 1988.;10.: 150. Терехов В. Тростянский С. Селезнев А. Е., Домашевская Э. П. Изменение плотностилокализованных состояний в поверхностных слоях аморфного гидрогенезированного кремния при вакуумтермических отжигах. Поверхность Физ.. Хим. Мех. 1988;5: 74–80. Domashevskaya E. P., Peshkov Y. A , Terekhov V. A., Yurakov Y. A., Barkov K. A. Phase composition of the buried silicon interlayers in the amorphous multilayer nanostructures [(Co45Fe45Zr10)/a-Si:H]41 and [(Co45Fe45Zr10)35(Al2O3)65/a-Si:H]41. Surf. Interface Anal . 2018;50(12-13): 1265–1270. DOI: https://doi.org/10.1002/sia.6515 Мануковский Э. Ю. Электронная структура, состав и фотолюминесценция пористого кремния. Автореф. дис. … канд. физ. -мат. наук. Воронеж: ВГУ; 2000. 16 с. Домашевская Э. Терехов В. Турищев С. Ю ., Прижимов А. С., Харин А. Н., Паринова Е. В., Румянцева Н. А., Усольцева Д. С., Фоменко Ю . Л., Беленко С. В. Атомное и электронное строение аморфных и нанокристаллических слоев полуизолирующего кремния, полученных методом химического осаждения при низком давлении. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2015;12 c 24-33

show abstract

Section: Ultra-soft X-ray Emission Si L 23 Spectra Of Siliconmentioning

confidence: 99%

Section: Ultra-soft X-ray Emission Si L 23 Spectra Of Siliconmentioning

confidence: 99%

Влияние Слабого Импульсного Электромагнитного Поля На Атомное Строение Природных Алюмосиликатов Клиноптилолита, Монтмориллонита И Палыгорскита

Belchinskaya

Жужукин

Barkov

et al. 2020

kcmf

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

Bound oxygen influence on the phase composition and electrical properties of semi-insulating silicon films

Терехов

Nesterov

Barkov

et al. 2021

Materials Science in Semiconductor Processing

View full text Add to dashboard Cite

The purpose of this work is to establish of the bound oxygen effect on the phase composition of the Semi-Insulating Polycrystalline Oxygen-doped Silicon (SIPOS) films by means of three independent methods: X-ray diffraction (XRD), Ultrasoft X-ray Emission Spectroscopy (USXES) and Raman spectroscopy, also on their electrophysical properties, depending on the relative oxygen content in the gas mixture flow (γ=N 2 O/SiH 4) of the plasma reactor during the chemical vapor deposition of submicron SIPOS layers on monocrystalline silicon wafers. The increase in the oxygen content in SIPOS layers from γ=0 to maximum at γ=0.15 leads to the reduction of Si nanocrystals size from ~75 nm to 2-5 nm, submerged in amorphous matrix. Oxygen is contained in the bound form of silicon-oxygen clusters SiOSi 3 type in the amorphous silicon matrix without SiO 2 formation. These nonlinear qualitative and quantitative changes in the atomic structure of the SIPOS layers under the influence of bound oxygen increase not only the resistivity of the films by two orders of magnitude but also the activation energy of conductivity in comparison with silicon at the temperatures above room temperature.

show abstract

Peculiarities of electronic structure and composition in ultrasound milled silicon nanowires

et al. 2020

View full text Add to dashboard Cite

Atomic and electronic structure of amorphous and nanocrystalline layers of semi-insulating silicon produced by chemical-vapor deposition at low pressures

Cited by 5 publications

References 8 publications

Влияние Слабого Импульсного Электромагнитного Поля На Атомное Строение Природных Алюмосиликатов Клиноптилолита, Монтмориллонита И Палыгорскита

Влияние Слабого Импульсного Электромагнитного Поля На Атомное Строение Природных Алюмосиликатов Клиноптилолита, Монтмориллонита И Палыгорскита

Bound oxygen influence on the phase composition and electrical properties of semi-insulating silicon films

Peculiarities of electronic structure and composition in ultrasound milled silicon nanowires

Contact Info

Product

Resources

About