Beeinflussung der Leitf�higkeit d�nner Halbleiterschichten durch kapazitiv angelegte Randfelder

Zückler, K.

doi:10.1007/bf01338698

Z. Physik

1953

DOI: 10.1007/bf01338698

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Beeinflussung der Leitf�higkeit d�nner Halbleiterschichten durch kapazitiv angelegte Randfelder

K. Zückler

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Leitfähigkeitsänderung dünner Kupferoxydulschichten bei elektrostatischer Aufladung

Deubner

Schulz

1960

Annalen der Physik

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Alit 20 Abbildungen Inhaltsiibersicht I n der vorliegenderi Arbeit werden Untersuchungen der Leitfahigkeitsanderung dunner Kupferoxydul-Xchichten bei elektrostatischer Aufladung (Feldeffekt) beschrieben. Leitfiihigkeit und Feldeffekt werden in Abhangigkeit von den Herstellungsbedingungen (Sauerstoffdruck, Temperatur, Abkuhlung) gemessen. Wahrend die Leitfahigkeit einen auch von anderen Autoren bei kompaktem Material gefundenen Gang mit dem Sauerstoffdruck einer vorhergehenden Temperung aufweist, laBt sich ein EinfluB auf den Feldeffekt wegen der groBen Exemplarstreuung nicht nachweisen. Der Effekt zeigt eine starke Abhangigkeit von der umgebenden Gasatmosphiire. Wie zu erwarten, wird die gesamte Schicht durch die Adsorption verschiedener Fremdgase stark beeinflufit.Im Vakuum wurde der Feldeffekt zwischen -56" und +30 "C untersucht.Bei Zimmertemperatur stimmen die Ergebnisse befriedigend mit denen von Zucklerl) uberein. Bei tiefen Temperaturen zeigt sich jedoch nach Anlegen des elektrischen Feldes ein bisher nicht beobachtetes Verhalten. Bose2) und Pohlz) haben schon 1906 versucht, die Leitfahigkeitsanderung dunner Silber-und Platinschichten im transversalen elektrischen Feld zu messen, um so die Zahl der freien Elektronen in Metallen zu bestimmen. Andere Autoren haben spater an Graphit 4, und verschiedenen Metallen4-8) lihnliche Untorsuchungen angestellt. Durch die grundlegenden Arbeiten von S h o c kle y und P e a r s on9) wurden Feldeffekt-Messungen als Untersuchungsmethode in die Halbleiterforschung eingefuhrt.

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Leitfähigkeitsänderung dünner Kupferoxydulschichten bei elektrostatischer Aufladung

Deubner

Schulz

1960

Annalen der Physik

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Field effect on trigonal selenium crystals

Engemann

Fuhs

1972

Phys. Stat. Sol. (a)

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The field effect of trigonal selenium crystals is investigated as a function of temperature. The field mobility μF has the same temperature dependence as the conductivity and is of similar magnitude as the Hall mobility. This shows that surface states are of minor importance. At high values of the transverse voltage, the surface conductance exhibits a minimum which seems to indicate the formation of an inversion layer. The results are discussed in terms of a barrier model. It is shown that the minimum of conductance can be explained by a reduction of potential barriers at the surface in high electric fields.

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Investigation of long-term processes on a real germanium surface

1971

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