Bilevel System HPR/PMMA

Weill, A.; Dechenaux, E.; Paniez, Patrick Jean; Amblard, Gilles R.

doi:10.1117/12.975608

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“…-On the other hand, the lift off technique is well suited to filling in wide areas, but may be limited in providing high resolution and a good step coverage. Figure 4a shows SEM micrographs of an HPR/PMMA bilevel pattern [19] and a 150 nm deep trench etched into the glass. The whole topography is then capped by a W layer deposited by a directional sputtering technique.…”

Section: Experimentalsmentioning

confidence: 99%

Concept and processing of buried photomasks

Panabiere¹,

Francou²,

Weill³

et al. 1990

Rev. Phys. Appl. (Paris)

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2014 Une nouvelle méthode d'élaboration des photomasques est présentée. Au lieu de déposer les motifs géométriques sur la surface du substrat transparent, ceux-ci sont situés au fond de tranchées préalablement gravées dans le substrat transparent. Les tranchées sont définies par lithographie E-beam et gravure plasma RIE. Deux manières de les remplir sont envisagées : planarisation et lift-off. Les différents avantages du masque enterré sont analysés, et notamment la très haute résolution. Enfin ce papier se termine par l'illustration des capacités de transfert d'image d'un tel masque par lithographie en contact sous vide dans les résines novolaques. Abstract. 2014 A new method for fabricating photomasks is proposed. The mask is prepared by burying the absorbent patterns inside the transparent photoplate instead of depositing them on the surface of the photoplate. After imaging and etching trenches into the glass substrate, an absorbent material is set into them. Two different ways of filling in these holes are considered : planarisation and lift-off. Various advantages of this technique are expected, namely high resolution. This paper presents results obtained by vacuum contact printing of positive and negative novolak based photoresists exposed through buried masks.

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Section: Experimentalsmentioning

confidence: 99%