Blackbody-like emission of terahertz radiation from AlGaN/GaN heterostructure under electron heating in lateral electric field

Abstract

The authors report on the observation and study of terahertz radiation emission from modulation-doped AlGaN/GaN heterostructure under conditions of heating of a two-dimensional electron gas in the lateral electric field. The experimental results are compared with the theoretical model of blackbody-like emission from hot two-dimensional electrons. Complementary transport measurements and a theoretical simulation were carried out to determine the dependence of effective electron temperature on electric field. The role of nonequilibrium optical phonon accumulation is discussed.

Interaction of surface plasmon polaritons in heavily doped GaN microstructures with terahertz radiation

“…In literature, for a qualitative explanation of the emission properties of the different structures, the theory of the blackbody-like radiation 48 is widely used. In particular, this theory was applied for the analysis of the far-infrared emission of semiconductor films, 49,50 structures with 2D electron gas, 51,52 semiconductor plasmonic structures, 53,54 etc.…”

Terahertz Spectroscopy of Thermal Radiation from AlGaN/GaN Heterostructure on Sapphire at Low Temperatures

“…Two-dimensional electron thermal emission was not included in the calculations, as the intensity of such emission is at least a few orders of magnitude lower than the black-body radiation in a spectral range in which the experiment was conducted [18].…”

Многообразие Свойств Приборных Структур На Основе Нитридов Элементов III Группы, Связанное С Модификацией Фрактально-Перколяционной Системы

“…Эксперименты проводились на HEMT-структурах AlGaN/GaN, выращенных методом MOCVD (metalloorganic chemical vapor deposition), конструктивные и тех-нологические подробности приведены в [16]. Для иссле-дований были выбраны три типа НЕМТ-структур, суще-ственно различающихся только по характеру организа-ции наноматериала, количественно охарактеризованные мультифрактальным параметром p : 0.345, 0.350, 0.357.…”

“…Для иссле-дований были выбраны три типа НЕМТ-структур, суще-ственно различающихся только по характеру организа-ции наноматериала, количественно охарактеризованные мультифрактальным параметром p : 0.345, 0.350, 0.357. Из структур каждого типа были изготовлены образцы с омическими контактами для измерения подвижности электронов в двумерном канале методом Ван-дер-Пау, а также транзисторы в ЗАО " Светлана−Электронприбор" с топологией, приведенной в [16]. Облучение прово-дилось протонами, ускоренными на циклотроне ФТИ им.…”