Calculation of the Ground-State Ionization Energy for Shallow Donors in n-Ge Single Crystals within the ∆1-Model for the Conduction Band

Abstract

On the basis of the Ritz variational method, the ionization energies for the ground states of Sb, P, and As donors in-Ge single crystals are calculated in the framework of the Δ1-model for the conduction band and taking the dispersion law anisotropy and the chemical shift into account. A comparison of theoretical results with corresponding experimental data shows that the model of impurity's Coulomb potential can be used as a rough approximation only for Sb impurities in Ge, making no allowance for the chemical shift. For the P and As impurities, when the potential field of an impurity ion is not Coulombic, the calculations have to be carried out with regard for a chemical shift.

The impact of intrinsic conductivity on the mechanisms of tensoresistance of uniaxially deformed n-Ge single crystals

“…Для одновiсних тискiв вiд 0.8 до 2 ГПа (друга дiлянка) зростання питомого опору n-Ge пояснюємо зменшенням ефективної рухливостi електронiв за рахунок перерозподiлу електронiв мiж мiнiмумами L 1 -та ∆ 1 з рiзною рухливiстю [10,16]. Вплив домiшкової провiдностi за рахунок зростання енерґiї йонiзацiї домiшок Sb за одновiсного тиску [17] на тензоопiр германiю для цих температур не проявлятиметься, оскiльки за таких умов домiшки Sb будуть повнiстю йонiзованими. Зокрема, як випливає з одержаних результатiв працi [10], тензоопiр одновiсно деформованих уздовж кристалографiчного напрямку [100] монокристалiв германiю за температур T > 110 K та тискiв P > 2.5 ГПа виходить на насичення.…”