Caracterização óptica de filmes finos de NbOx obtidos por sputtering reativo

Abstract

2,0 sccm foi encontrado o composto NbO 2 e o filme apresentou alta absorção ótica. Os resultados sugerem que outros óxidos de nióbio ou nióbio metálico foram incorporados nos filmes conforme o fluxo de oxigênio foi diminuído. Foi observada uma relação direta entre a diminuição da vazão de oxigênio durante a deposição e um aumento da quantidade de nióbio nos filmes, acompanhados de um aumento do índice de refração e da densidade superficial. forms for when a flow rate of 15 sccm is used. For a flow rate of 2.0 sccm it was found NbO 2 and a high optical absorption. As the flow of oxygen used in the deposition of the films was decreased, there were signs that were incorporated in the films other oxides of niobium or niobium metal itself. A direct relationship between decreased of oxygen flow during deposition and a increase in niobium quantity in the films, accompanied by an increase in the refractive index and surface density was observed.

Análise Das Propriedades Ópticas De Filmes Finos Nitreto De Silício Obtidos Por Magnetron Sputtering

“…Este trabalho tem por objetivo estudar as variações das propriedades ópticas em função da variação da espessura filmes finos de nitreto de silício, bem como verificar os efeitos das interfaces entre filmes finos de nitreto de silício. Estes filmes finos de nitreto de silício serão depositados sobre substratos de vidro tipo Soda Cálcio, através da técnica de Magnetron Sputtering Reativo [4]. As propriedades do mesmo serão estudadas e analisadas através das técnicas de espectrofotometria.…”

“…O índice de refração é a parte real e o coeficiente de extinção a parte imaginária. O último está relacionado com o coeficiente de absorção [4]. O coeficiente de absorção "α" descreve o quanto a intensidade de um feixe de energia, em determinado comprimento de onda, é reduzida ao passar por um material.…”

Desenvolvimento de heterojunções >i<n>/i<-BiVO>sub<4>/sub</>i<p>/i<-FeMO>sub<x>/sub< (M = Ni, Co e Mn) por pulverização catódica: elucidação da estrutura eletrônica e alinhamento interfacial de bandas na fotoeletrólise da água

“…Além disso, tal técnica produz filmes com excelente aderência do material ao substrato, permite a deposição de uma ampla gama de materiais e não necessita de agentes químicos externos que podem atuar como impurezas ou contaminações durante a deposição. 95 elétrons secundários provenientes do material alvo. Esses elétrons secundários promovem a ionização de outras moléculas de gás, tornando a interação entre os elétrons e as partículas do alvo autossustentável, de forma que a manutenção do plasma se torna estável.…”